Конец эпохи дорогой памяти: SK hynix запускает революционные QLC-накопители на 244 ТБ

В понедельник компания SK hynix заявила, что начала массовое производство 321-слойных устройств памяти 3D QLC NAND объёмом 2 ТБ, которые позволят создавать твердотельные накопители сверхбольшой ёмкости — до 244 ТБ и более — для использования в центрах обработки данных, а также относительно недорогие накопители большой ёмкости для клиентских ПК, которые будут конкурировать с некоторыми из лучших твердотельных накопителей.

321-слойные устройства памяти SK hynix 2Tb (256 ГБ) 3D QLC NAND относятся к линейке продуктов V9Q компании и имеют интерфейс ввода/вывода со скоростью 3200 МТ/с, что лишь немного медленнее, чем 3600 МТ/с у передовых микросхем 3D TLC NAND, таких как готовящаяся к выпуску V9T 321L 3D TLC NAND.

Кроме того, новые микросхемы V9Q объёмом 2 ТБ имеют шесть плоскостей (по сравнению с четырьмя, предположительно, в устройствах 3D QLC NAND предыдущего поколения), что обеспечивает более параллельную работу и заметно повышает скорость многократного чтения.

Видео от DGL.RU

Производитель утверждает, что его устройство V9Q объёмом 2 ТБ обеспечивает на 56 % более высокую скорость записи и на 18 % более высокую скорость чтения по сравнению с устаревшими устройствами V7Q, выпущенными в 2023 году. Повышение производительности связано как с увеличением количества операций ввода-вывода, так и с усовершенствованием внутренней архитектуры. Кроме того, компания утверждает, что новая микросхема V9Q объёмом 2 ТБ на 23 % эффективнее при операциях записи, что, вероятно, связано с технологическими улучшениями и оптимизацией на уровне схемы (возможно, за счёт снижения напряжения записи?). по сравнению с предыдущим поколением.

Хотя устройства 2Tb 3D QLC NAND также начнут появляться у различных производителей, ключевое отличие V9Q от SK hynix заключается в том, что в нём используется новейшая 321-слойная технология компании, которая, как предполагается, сделает производство более дешёвым по сравнению с микросхемами конкурентов. В результате SK hynix сможет выпускать более дешёвые твердотельные накопители, что станет явным конкурентным преимуществом.

Изначально компания будет использовать свои 321-слойные 3D QLC NAND-устройства объёмом 2 ТБ в клиентских твердотельных накопителях. Например, для накопителя объёмом 2 ТБ потребуется всего восемь микросхем V9Q объёмом 2 ТБ, которые можно разместить в одном или двух корпусах, что значительно снизит затраты компании.

В конечном счёте 321-слойная 2-терабайтная 3D QLC NAND-память SK hynix будет использоваться в твердотельных накопителях корпоративного уровня, в том числе в накопителе на 244 ТБ, который в настоящее время находится в разработке. В этом накопителе будет использоваться уникальная технология SK hynix 32DP, которая позволяет компании объединять 32 устройства по 2 ТБ в одном корпусе.

«С началом массового производства мы значительно расширили ассортимент продукции с высокой пропускной способностью и обеспечили конкурентоспособность по цене», — сказал Чон Вупё, руководитель отдела разработки NAND в SK hynix. «Мы совершим большой скачок вперёд как поставщик комплексных решений для памяти ИИ в соответствии с взрывным ростом спроса на ИИ и требованиями к высокой производительности на рынке центров обработки данных».

Лучшие портативные SSD-накопители 2025 года