Qualcomm сообщила о том, что презентация нового флагманского чипсета для мобильных устройств – Snapdragon 835 – пройдет в рамках выставки CES 2017 (5-8 января, Лас-Вегас, США).

Новые подробности о флагманском чипсете Qualcomm Snapdragon 835 будут раскрыты на CES 2017

Предварительный анонс Snapdragon 835 состоялся в середине ноября. Тогда выяснилось, что в разработке этого решения примет участие Samsung. И что производиться Snapdragon 835 будет по техпроцессу 10 нм FinFET. По сравнению с предыдущей технологией – 14 нм FinFET – 10 нм от Samsung увеличивают производительность на 27% и обеспечивают снижение потребления энергии на 40%. Кроме того, новый техпроцесс позволяет сделать чип заметно меньше, что позволяет сэкономить место внутри корпуса смартфона, потратив высвободившееся пространство, скажем, на установку более мощной батареи.

Позже выяснилось, что Snapdragon 835 имеет 8 вычислительных ядер. Это первый топовый чипсет от Qualcomm с таким количеством указанных компонентов: предыдущие разработки компании для смартфонов верхнего ценового уровня имели по 4 ядра (например, Snapdragon 820 и 821). Максимальная частота ядер составит 2,2 ГГц, то есть по этому показателю новый чипсет сравним с нынешними решениями.

В Qualcomm Snapdragon 835 применяется графический ускоритель Adreno 540, который примерно на 30% производительнее Adreno 530, используемого в Snapdragon 820 и 821.

Среди прочих особенностей Snapdragon 835 стоит отметить технологию быстрой зарядки Quick Charge 4. Она способна обеспечить смартфону до 5 часов работы после 5 минут у розетки.

Ну и еще один момент: Snapdragon 835, скорее всего, будет совместим с операционной системой Windows 10, что позволит выпускать компьютеры на базе этого чипсета. Qualcomm и Microsoft уже анонсировали соответствующее технологическое решение, оно станет серийным в 2017 году.

Одним из первых смартфонов с Qualcomm Snapdragon 835 станет Samsung Galaxy S8.

 

806