Компания SK Hynix представила «самую быструю в мире мобильную память DRAM», предназначенную для смартфонов, VR-очков, систем с использованием искусственного интеллекта и прочих мобильных и не очень устройств. Новая технология получила название LPDDR5T, где «T» означает Turbo.
Разработчики утверждают, что новые чипы оперативной памяти на 13% быстрее, чем модули LPDDR5X, которые недавно начали появляться в устройствах премиум-класса.
LPDDR5T работает на скорости 9,6 Гбит/с; для сравнения: в случае LPDDR5X речь идет только о 8,5 Гбит/с, а LPDDR5 демонстрирует не более 6,4 Гбит/с. LPDDR5T способна обрабатывать 77 Гбайт данных в секунду.
Стоит подчеркнуть, что что LPDDR5T — это не новое поколение DRAM, а скорее усовершенствование стандарта LPDDR5X.
Чипы LPDDR5T основаны на технологии 1Anm, которая представляет собой четвертое поколение 10-нм техпроцесса, и используют метод HKMG (High-K Metal Gate), который снижает энергопотребление и увеличивает скорость.
SK Hynix планирует начать массовое производство памяти LPDDR5T во второй половине 2013 года. При этом в компании говорят, что уже отправили 16-гигабайтные модули LPDDR5T для тестирования ряду партнеров, которые заняты изготовлением конечных потребительских устройств.
