Домой Вычисления Новый стандарт оперативной памяти от SK Hynix сделает смартфоны заметно быстрее

Новый стандарт оперативной памяти от SK Hynix сделает смартфоны заметно быстрее

Память LPDDR5T работает на скорости 9,6 Гбит/с; для сравнения: в случае LPDDR5X речь идет только о 8,5 Гбит/с для 5X, а LPDDR5 демонстрирует не более 6,4 Гбит/с.

Компания SK Hynix представила «самую быструю в мире мобильную память DRAM», предназначенную для смартфонов, VR-очков, систем с использованием искусственного интеллекта и прочих мобильных и не очень устройств. Новая технология получила название LPDDR5T, где «T» означает Turbo.

Разработчики утверждают, что новые чипы оперативной памяти на 13% быстрее, чем модули LPDDR5X, которые недавно начали появляться в устройствах премиум-класса.

LPDDR5T работает на скорости 9,6 Гбит/с; для сравнения: в случае LPDDR5X речь идет только о 8,5 Гбит/с, а LPDDR5 демонстрирует не более 6,4 Гбит/с. LPDDR5T способна обрабатывать 77 Гбайт данных в секунду.

Стоит подчеркнуть, что что LPDDR5T — это не новое поколение DRAM, а скорее усовершенствование стандарта LPDDR5X.

Чипы LPDDR5T основаны на технологии 1Anm, которая представляет собой четвертое поколение 10-нм техпроцесса, и используют метод HKMG (High-K Metal Gate), который снижает энергопотребление и увеличивает скорость.

SK Hynix планирует начать массовое производство памяти LPDDR5T во второй половине 2013 года. При этом в компании говорят, что уже отправили 16-гигабайтные модули LPDDR5T для тестирования ряду партнеров, которые заняты изготовлением конечных потребительских устройств.

Прокомментируйте первым!

Пожалуйста, введите ваш комментарий!
пожалуйста, введите ваше имя здесь

Предыдущая статьяРаскрыты сроки анонса первого планшета OnePlus
Следующая статьяВ РФ представлены мониторы Digma с 4K-экранами, USB Type-C и портретным режимом