Наверх
Обновлено

Революция в памяти: Galaxy S26 Ultra получит рекордный объем RAM

Samsung увеличивает объем оперативной памяти в своем будущем флагмане. Почему это важно для пользователей?

Обновлено 9.11.2025 в 1:02, Опубликовано 11.08.2025 в 13:27
Революция в памяти: Galaxy S26 Ultra получит рекордный объем RAM

Сообщается, что Samsung Galaxy S26 Ultra получит прирост мощности не только за счет чипа нового поколения, но и благодаря новейшей технологии оперативной памяти.

Инсайдер Ice Universe сообщил, что Galaxy S26 Ultra будет оснащен памятью LPDDR5X (low-power double data rate 5X) со скоростью до 10,7 гигабит в секунду (Гбит/с). Этот компонент, по-видимому, будет поставляться производителем памяти Micron.

Революция в памяти: Galaxy S26 Ultra получит рекордный объем RAM
Ожидается, что у Galaxy S26 Ultra будет более быстрая оперативная память, чем у Galaxy S25 Ultra.

Galaxy S25 Ultra, как и большинство топовых телефонов на Android на базе мобильной платформы Qualcomm Snapdragon Elite, поставляется с LPDDR5X, созданной на основе технологии Micron предыдущего поколения 1β (1-бета), и обеспечивает скорость до 9,6 Гбит/с.

Видео от DGL.RU

В отличие от этого, оперативная память Galaxy S26 Ultra будет основана на технологии DRAM 1γ (1-gamma) от Micron.

Революция в памяти: Galaxy S26 Ultra получит рекордный объем RAM
Чип памяти Galaxy S26 Ultra будет быстрее и энергоэффективнее.

Micron утверждает, что ее 1γ LPDDR5X предлагает самую быструю в отрасли скорость оперативной памяти — 10,7 Гбит/с, что делает ее идеальной для сценариев использования искусственного интеллекта и приложений с интенсивной обработкой данных. Пользователи могут ожидать более быстрого отклика и времени получения результатов.

1γ LPDDR5X также обеспечивает до 20 процентов экономии энергии по сравнению с памятью 1-бета LPDDR5X. Это означает, что Galaxy S26 Ultra будет разряжаться медленнее, чем Galaxy S25 Ultra.

Новый компонент также будет занимать меньше места, его толщина составит всего 0,61 мм, что потенциально освободит место для других компонентов, таких как более крупный сенсор камеры или более емкая батарея.

В качестве альтернативы, Ice может намекать на DRAM LPDDR5X от Samsung со скоростью 10,7 Гбит/с, которая была анонсирована в прошлом году. Она основана на 12-нм техпроцессе и также является более быстрой, энерго- и пространственно-эффективной, чем технология предыдущего поколения.

В прошлом году Samsung, по сообщениям, столкнулась с некоторыми проблемами перегрева, из-за чего 60 процентов устройств Galaxy S25 были оснащены компонентами Micron. Хотя Samsung, по сообщениям, успешно решила проблемы с техпроцессом LPDDR5X, в июньском отчете говорилось, что она тестирует LPDDR5X от Micron для серии Galaxy S26.

Независимо от того, какого поставщика выберет компания, покупатели могут рассчитывать на аналогичные преимущества.

Ожидается, что Galaxy S26 Ultra также получит обновленный дизайн и более тонкий профиль. Galaxy S25 показывает себя довольно хорошо, и улучшенный Galaxy S26 Ultra с более высокой производительностью поможет компании развить этот успех.

Обзор Baseus PicoGO 45 Вт 10000 мAч: маленький, но мощный аккумулятор

Анам Хамид

Анам Хамид

Не стесняется в выражениях и любит цитировать Альберта Эйнштейна: «То, что правильно, не всегда популярно, а то, что популярно, не всегда правильно». В свободное время она любит читать и листать соц. сети. Иногда она заходит на обучающие сайты, чтобы освежить свои навыки программирования.

Источник: PhoneArena
Подпишитесь на наши новости:
Нажимая кнопку «Подписаться», вы принимаете «Пользовательское соглашение» и даёте согласие с «Политикой обработки персональных данных»