Samsung начала массовое производство первых в мире чипсетов по техпроцессу 10 нм FinFET

Компания Samsung объявила о начале массового производства первой на рынке однокристальной системы (System-on-Chip, SoC) по техпроцессу 10 нм FinFET.

Новое решение имеет транзисторную 3D-структуру. По сравнению с 14-нм чипсетами удельная эффективность поверхности выросла на 30%, производительность – на 40%, а энергопотребления снизилось на 40%. Для снятия ограничений масштабирования в новом решении используются новейшее техническое решение – тройное структурирование. Оно обеспечивает двустороннюю маршрутизацию для поддержания большей гибкости в дизайне и роутинге по сравнению с предыдущими моделями.

Чипсеты, изготовленные по 10-нм техпроцессу FinFET первого поколения (10LPE), появятся на прилавках в начале следующего года. Однако на подходе уже и второе поколение (10LPP), которое обеспечит очередной скачок в производительности. Устройства с таким «железом» будут доступны во второй половине 2017 года.