Обновлено Qualcomm и Samsung вместе поработают над флагманским чипсетом Snapdragon 835
В октябре 2016 года Samsung первой в индустрии анонсировала начало массового производства по техпроцессу 10 нм FinFET. По сравнению с предыдущим решением – 14 нм FinFET – 10 нм от Samsung увеличивает эффективную площадь поверхности на 30%, производительность – на 27%, а также обеспечивает снижение потребления энергии на 40%.
Алексей Остапенко
05.01.2026
23:59
